ETD

• gate stack memorie non volatili

Studio di gate stack alternativi, in particolare contenenti ossido di afnio e silicato di afnio, per lo studio di MOSFET di dimensioni nanometriche. La seconda parte è invece rivolta allo studio delle memorie a nanocristalli; l'introduzione di un modello fisico dei processi di generazione e ricombinazione cio ha permesso di simulare il comportamento del dot.