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ETD

Archivio digitale delle tesi discusse presso l’Università di Pisa

Tesi etd-09132005-131519


Tipo di tesi
Tesi di laurea specialistica
Autore
De Ranieri, Elisa
Indirizzo email
brecciola@yahoo.it
URN
etd-09132005-131519
Titolo
Design and fabrication of a transistor based on quantum point contacts
Dipartimento
INGEGNERIA
Corso di studi
INGEGNERIA ELETTRONICA
Relatori
relatore Prof. Macucci, Massimo
relatore Ing. Piotto, Massimo
Parole chiave
  • eterostruttura
  • nanoeletronica
  • quantum point contact
  • GaAs-AlGaAs
  • mesoscopico
  • transistore balistico
Data inizio appello
20/10/2005
Consultabilità
Parziale
Data di rilascio
20/10/2045
Riassunto
Oggetto della tesi sono il progetto e la fabbricazione di un dispositivo nanoelettronico basato su quantum point contact. Lo scopo di questo studio è verificare se è possibile ottenere un guadagno in tensione maggiore di 1.
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