ETD

Archivio digitale delle tesi discusse presso l’Università di Pisa

Tesi etd-09132005-131519

Tipo di tesi

Tesi di laurea specialistica

URN

etd-09132005-131519

Titolo

Design and fabrication of a transistor based on quantum point contacts

Dipartimento

INGEGNERIA

Corso di studi

INGEGNERIA ELETTRONICA

Parole chiave

eterostruttura
GaAs-AlGaAs
mesoscopico
nanoeletronica
quantum point contact
transistore balistico

Data inizio appello

20/10/2005

Consultabilità

Parziale

Data di rilascio

20/10/2045

Riassunto (Inglese)

Riassunto (Italiano)

Oggetto della tesi sono il progetto e la fabbricazione di un dispositivo nanoelettronico basato su quantum point contact. Lo scopo di questo studio è verificare se è possibile ottenere un guadagno in tensione maggiore di 1.

File

Nome file	Dimensione
1_frontespizio.pdf	24.50 Kb
2_indice.pdf	26.22 Kb
3_intro.pdf	70.79 Kb
7_conclusioni.pdf	33.40 Kb
3 file non consultabili su richiesta dell’autore. Contatta l’autore