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ETD

Archivio digitale delle tesi discusse presso l’Università di Pisa

Tesi etd-06212005-160408


Tipo di tesi
Tesi di laurea vecchio ordinamento
Autore
Lisieri, Michele
Indirizzo email
michele.lisieri@tiscali.it
URN
etd-06212005-160408
Titolo
Simulazione di Quantum Dot in Silicio per Applicazioni Spintroniche.
Dipartimento
INGEGNERIA
Corso di studi
INGEGNERIA ELETTRONICA
Relatori
relatore Macucci, Massimo
relatore Iannaccone, Giuseppe
Parole chiave
  • Quantum Dot
  • Simulation
  • Simulazioni
  • Single Electron Device
  • Spintronic Device
  • Spintronica
Data inizio appello
12/07/2005
Consultabilità
Completa
Riassunto
L’insaziabile necessità di risorse computazionali, di maggiore velocità dei dispositivi e di minore dissipazione di potenza, spinge la ricerca nel mondo delle tecnologie dei semiconduttori. I progressi tecnologici nel campo dei dispositivi a semiconduttore consentono oggi di indagare in modo più approfondito e dettagliato alcuni fenomeni visibili solo su scala nanometrica. Attualmente però, la letteratura è priva di studi su quantum dot in silicio; e per questo motivo che ci siamo spinti in questo lavoro di tesi.
Oggi la spintronica è presente con dispositivi come le MRAM (Magnetic Ram), oppure con le Giant Magnetic Resistence, utilizzate nelle testine di lettura degli hard disk.
La spintronica studia la possibilità di manipolare il grado di libertà degli Spin dei singoli elettroni. In sostanza, studiamo i dispositivi a singolo elettrone immersi nel campo magnetico. La nostra ricerca si basa sulla possibilità di sfruttare il Si come materiale per i dispositivi nano-spintronici.
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