• ossido di silicio
• deposizione di film sottili
• litografia
• spin-on-glass
• sputtering a radiofrequenza
• diffusione
• drogaggio

La tecnologia planare del silicio, introdotta nel 1959 e rapidamente affermatasi negli anni sessanta, dapprima per la fabbricazione dei singoli componenti attivi ed in seguito per quella di interi circuiti integrati, richiede un certo numero di passi di processo, tra i quali particolare importanza è rivestita dalla realizzazione di strati di ossido e dal drogaggio. In questo lavoro di tesi, al fine di realizzare ossidi di gate, è stata esaminata in dettaglio la tecnica di deposizione di ossido di silicio mediante sputtering a radiofrequenza; l'ossido così deposto è stato caratterizzato attraverso la misura del campo di rottura, la misura della velocità di deposizione e una stima della densità di cariche presenti nell'ossido, effettuata dall'analisi delle curve capacità-tensione. E’ stato successivamente messo a punto un processo di drogaggio per diffusione su substrato SOI mediante spin-on-glass, con lo scopo di realizzare nanofili drogati. Il profilo di drogaggio risulta essere costante.