• processi tecnologici
• ossido di silicio
• strati spessi

In questo tesi viene proposto un metodo alternativo, a basso costo, per la crescita di strati di SiO2 con spessore di 10-100 micron. Il processo è essenzialmente basato sull’attacco elettrochimico del silicio in soluzioni a base di HF per la fabbricazione di trenches regolari all’interno del substrato di silicio con elevato aspect ratio (rapporto profondità/spessore), separate da piani di silicio cristallino di dimensione micrometrica. Le trenches fabbricate sono tali da ottenere mediante la successiva ossidazione termica, la completa trasformazione dei piani di silicio in ossido ed contemporaneamente il riempimento delle trenches stesse con SiO2, ottenendo così uno strato omogeneo di ossido di silicio ad elevato spessore. In questo caso la profondità delle trenches, e quindi lo strato di ossido risultante, può essere dell’ordine dello spessore del wafer di silicio utilizzato.