ETD

Archivio digitale delle tesi discusse presso l'Università di Pisa

Tesi etd-04072022-164642


Tipo di tesi
Tesi di laurea magistrale
Autore
SCINTU, DANILO
URN
etd-04072022-164642
Titolo
Proprieta termoelettriche di dispositivi a nanofili di silicio con drogaggio non uniforme
Dipartimento
INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE
Corso di studi
INGEGNERIA ELETTRONICA
Relatori
relatore Prof. Pennelli, Giovanni
Parole chiave
  • nanofili di silicio(silicon nanowires)
  • FEniCS
  • termoelettricità (termoelectricity)
Data inizio appello
29/04/2022
Consultabilità
Tesi non consultabile
Riassunto
Il mio lavoro di tesi si concentra sul calcolo del fattore di potenza termoelettrico di nanofili si silicio a sezione circolare. Le simulazioni sono state fatte utilizzando il Python ed il pacchetto di simulazione agli elementi finiti FEniCS. In particolare si è mostrato l'effetto di un drogaggio non uniforme sul confinamento degli elettroni e sulle proprietà termoelettriche del nanofilo.

My thesis focus on the calculus of the thermoelectric power factor (PF) of silicon nanowires with circular cross section. Simulations was done using Python and the FEniCS package for finite element analisys. Specificly, it study the effect of non-uniform doping profile on electron confinement and thermoelectric parameters of the nanowire.
File