• attacco anisotropo del silicio
• BCD6s
• bulk micromachining
• membrana
• SiO2
• TMAH

L'argomento di questa tesi di laurea riguarda lo studio e l'applicazione di una procedura composta da una serie di attacchi chimici di tipo wet al fine di ottenere la liberazione di membrane in dielettrico ancorate ad un substrato di silicio cristallino. Le membrane sono state progettate nei laboratori del Dipartimento dell'Informazione di Pisa. I chip sui quali sono state condotte le prove d'attacco sono stati forniti da STMicroelectronics, prodotti in tecnologia BCD6s. In parallelo agli attacchi chimici è stato sviluppato un modello per l'evoluzione dell'attacco e per la stima dei tempi di rilascio delle membrane. I risultati sono stati ottenuti analizzando numerose immagini catturate al SEM. In base alle prove condotte si può concludere che la procedura di post-processing è stata messa a punto con successo, consentendo la liberazione delle membrane forate in tempi brevi, dell'ordine di poche decine di minuti. In futuro sarà quindi possibile progettare membrane forate con dimensioni maggiori, per ampliarne le possibilità di impiego.
Inoltre si può affermare che i risultati sperimentali sono in linea con il modello proposto per l'andamento dell'attacco e per la stima dei tempi di liberazione. Tuttavia tale modello può essere migliorato. A tal fine saranno necessarie ulteriori prove.