Tesi etd-07082022-124551 |
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Tipo di tesi
Tesi di laurea magistrale
Autore
CAPELLO, CARLOTTA
URN
etd-07082022-124551
Titolo
Fabbricazione e Caratterizzazione di un Diodo Termico Nanostrutturato
Dipartimento
INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE
Corso di studi
INGEGNERIA ELETTRONICA
Relatori
relatore Prof. Pennelli, Giovanni
relatore Ing. Dimaggio, Elisabetta
relatore Ing. Dimaggio, Elisabetta
Parole chiave
- conduzione
- diodo termico
- fononi
- litografia
- Raddrizzamento termico
- temperatura
Data inizio appello
22/07/2022
Consultabilità
Non consultabile
Data di rilascio
22/07/2025
Riassunto
La gestione termica dei dispositivi è uno dei maggiori problemi dell’elettronica
moderna. La miniaturizzazione crescente dei circuiti rende
la dispersione del calore sempre più ostica, motivo per cui si ricercano
tecnologie e materiali volti a gestire questa problematica in modo più
efficace.
Un dispositivo come il diodo termico può rappresentare un passo
avanti nell’ambito del managment termico poichè rappresenta un
sistema integrabile in grado di controllare la direzione del flusso di
calore. Inoltre, potrebbe contribuire allo sviluppo della logica termica
e applicazioni tipiche in campo di energie rinnovabili e termodinamica.
Le soluzioni adottate fino a oggi hanno dato origine a dispositivi
complessi, con prestazioni limitate e realizzati con materiali, come il
grafene ad esempio, che li rendono difficilmente integrabili, quando
possibile. La soluzione proposta è un diodo termico realizzato completamente
in silicio, materiale di riferimento dell’elettronica integrata e
con ottime proprietà termiche. Ciò lo rende completamente integrabile
e realizzabile con tecnologie consolidate e ampiamente diffuse a livello
industriale.
La tesi riporta una panoramica sulla fisica del trasporto termico
e sulle tecnologie disponibili in letteratura in grado di realizzare il
raddrizzamento termico. Segue una trattazione teorica del dispositivo
termico, del quale sono stati realizzati e simulati due diversi modelli
tramite il software "Comsol Multiphysics".
Viene descritto poi l’intero flusso di processo realizzato in laboratorio,
attraverso la fabbricazione di due tipi di dispositivo, analizzando i
pro e i contro di entrambi. A partire dal wafer di silicio, con l’ausilio
dei processi tipici delle micro e nanotecnologie, compatibili con la
litografia a fascio elettronico, i dispositivi sono stati realizzati secondo
un approccio top-down.
Per verificare la funzionalità e rendere possibile un confronto con
i dati teorici, i diodi sono stati caratterizzati termicamente e elettricamente.
Infine, analizzando i risultati ottenuti, vengono proposte
soluzioni per migliorare le performance dei dispositivi e si pongono
le basi per i futuri sviluppi di questo lavoro.
moderna. La miniaturizzazione crescente dei circuiti rende
la dispersione del calore sempre più ostica, motivo per cui si ricercano
tecnologie e materiali volti a gestire questa problematica in modo più
efficace.
Un dispositivo come il diodo termico può rappresentare un passo
avanti nell’ambito del managment termico poichè rappresenta un
sistema integrabile in grado di controllare la direzione del flusso di
calore. Inoltre, potrebbe contribuire allo sviluppo della logica termica
e applicazioni tipiche in campo di energie rinnovabili e termodinamica.
Le soluzioni adottate fino a oggi hanno dato origine a dispositivi
complessi, con prestazioni limitate e realizzati con materiali, come il
grafene ad esempio, che li rendono difficilmente integrabili, quando
possibile. La soluzione proposta è un diodo termico realizzato completamente
in silicio, materiale di riferimento dell’elettronica integrata e
con ottime proprietà termiche. Ciò lo rende completamente integrabile
e realizzabile con tecnologie consolidate e ampiamente diffuse a livello
industriale.
La tesi riporta una panoramica sulla fisica del trasporto termico
e sulle tecnologie disponibili in letteratura in grado di realizzare il
raddrizzamento termico. Segue una trattazione teorica del dispositivo
termico, del quale sono stati realizzati e simulati due diversi modelli
tramite il software "Comsol Multiphysics".
Viene descritto poi l’intero flusso di processo realizzato in laboratorio,
attraverso la fabbricazione di due tipi di dispositivo, analizzando i
pro e i contro di entrambi. A partire dal wafer di silicio, con l’ausilio
dei processi tipici delle micro e nanotecnologie, compatibili con la
litografia a fascio elettronico, i dispositivi sono stati realizzati secondo
un approccio top-down.
Per verificare la funzionalità e rendere possibile un confronto con
i dati teorici, i diodi sono stati caratterizzati termicamente e elettricamente.
Infine, analizzando i risultati ottenuti, vengono proposte
soluzioni per migliorare le performance dei dispositivi e si pongono
le basi per i futuri sviluppi di questo lavoro.
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La tesi non è consultabile. |