• Nanomachining
• KOH
• Coulomb Blockade
• SET

Si consideri un esperimento in cui si applica una differenza di potenziale a due elettrodi (un “source” ed un “drain”), separati da un gap isolante. Dentro il gap, tra i due elettrodi, ce ne sia un terzo, l’ ”isola”, circondato dall’isolante. Per passare dal drain al source, gli elettroni devono attraversare l’isola: si assume che la conduzione di elettroni attraverso i gap isolanti tra il source e l’isola, e tra l’isola ed il drain avvenga per effetto tunnel. Questo processo sia così veloce che si possa assumere che gli elettroni attraversino i gap uno alla volta. Durante il suo tragitto dal source al drain, l’elettrone fa cambiare la carica dell’isola di e. Se l’isola è abbastanza piccola, la variazione del potenziale dell’isola dovuta alla presenza di un elettrone in eccesso può essere abbastanza grande da influenzare le probabilità di tunneling.
L’esistenza di questo effetto di feedback è stato osservata giá nei primi anni Sessanta. L’interpretazione di questi primi esperimenti è complicata dal limitato controllo sulla struttura del campione.
Oggi, con tecniche di nanofabbricazione è possibile realizzare isole metalliche di geometria voluta, separate da barriere tunnel ben controllabili.
In questo lavoro di tesi sono stati sviluppati due processi per la realizzazione di giunzioni tunnel metallo/dielettrico/metallo di dimensioni nanometriche: prima di presentarli in dettaglio, si è ritenuto opportuno trattare i fondamenti teorici della conduzione attraverso i più semplici dispositivi fondati su tali strutture.