• EBL
• interferometro

Il progressivo sviluppo delle tecnologie e dei processi in campo elettronico, ha permesso negli ultimi vent’anni, l’integrazione di sistemi via via più complessi senza un conseguente aumento proporzionale delle dimensioni; Si producono oggi sistemi con lunghezze di canale dei singoli transistori di 3-400nm, ed e' in fase di ricerca una tecnologia di 140nm. Il passo successivo, a cui sono dedicate attivita' di ricerca in ambito accademico e industriale, e' a questo punto, quello dei dispositivi nanoelettronici. Per aumentare la risoluzione si rende necessario l’uso di tecniche piu' raffinate quale la litografia a fascio elettronico (electron beam lithography), in cui un pennello di elettroni percorre, secondo le geometrie dettate dalla maschera, la superficie di un campione trattato con un resist opportuno.
Chiaramente tale processo e' ottenibile soltanto grazie allo sviluppo e all’ottimizzazione di un resist non più fotosensibile, ma sensibile agli elettroni (PMMA, polimetilmetacrilato).
Il sistema per la litografia a fascio elettronico presente presso il Dipartimento e' costituito da un microscopio elettronico a scansione del tipo ad emissione di campo e da un sistema di pattern generator.Questo lavoro di Tesi si prefigge lo scopo di evolvere il pattern generator attuale sotto il punto di vista della velocita di scrittura, della risoluzione e della gestione software.