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I circuiti elettronici moderni si basano sul concetto di multifunzionalità: devono contemporaneamente soddisfare requisiti di portabilità, ecocompatibilità, acquisizione ed elaborazione di dati, comunicazione, e autonomia energetica. In questo ambito si sviluppa la ricerca di tecnologie e materiali volti alla realizzazione di dispositivi performanti su larga scala con costi ridotti, fruibili ad un numero crescente di mercati; le nanostrutture ne sono al centro, poiché rispondono alle esigenze di multifunzionalità, spesso impossibili da ottenere con i materiali bulk, e possono essere prodotte ed elaborate con tecniche low-cost.
In questo lavoro, partendo dallo stato dell'arte della fabbricazione top-down di nanofili di silicio, si indagano alcuni metodi di deposizione delle nanostrutture di tipo solution-based - riferimento nell'elettronica flessibile stampabile - al fine di realizzare transistori ad effetto di campo (FET) basati su nanoreti, su substrati sia rigidi (wafer di silicio) che flessibili (carta). Si mostra l'intero flusso di processo realizzato in laboratorio, dalla fabbricazione di array di nanofili verticali ad alta densità, alla caratterizzazione elettrica dei dispositivi, passando per la produzione di dispersioni ed inchiostri stampabili di nanostrutture, e per l'assemblaggio delle nanoreti sui substrati, mediante filtrazione a vuoto e stampa a getto d'inchiostro. Il lavoro fa dell'integrazione economica delle nanoreti di silicio la sua ragion d'essere.