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Digital archive of theses discussed at the University of Pisa

 

Thesis etd-04012004-182159


Thesis type
Tesi di laurea vecchio ordinamento
Author
Caldani, Laura
URN
etd-04012004-182159
Thesis title
Realizzazione e caratterizzazione di sensori di gas integrati in silicio poroso
Department
INGEGNERIA
Course of study
INGEGNERIA ELETTRONICA
Supervisors
relatore Nannini, Andrea
Keywords
  • sensori
  • silicio poroso
Graduation session start date
04/05/2004
Availability
Withheld
Release date
04/05/2044
Summary
In questo lavoro di tesi, la caratterizzazione elettrica dell’APSFET è stata volta allo studio di come lo spessore dello strato di poroso incida sulla sensitività del dispositivo. A tal fine sono stati eseguiti due diversi tipi di caratterizzazione: corrente-tempo (I-t) e corrente-tensione (I-V), in presenza di vapori organici dell’isopropanolo, verso il quale l’APSFET presenta una buona sensitività per differenti spessori dello strato poroso. Tali caratterizzazioni hanno messo in evidenza: (i) un comportamento tipo FET delle strutture, confermando i risultati ottenuti precedentemente; (ii) una sensitività che dipende dallo spessore dello strato di silicio poroso prodotto, oltre che dalla porosità dello strato; (iii) una velocità di risposta che diminuisce con lo spessore dello strato di silicio poroso.
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