• silicio poroso
• sensori

In questo lavoro di tesi, la caratterizzazione elettrica dell’APSFET è stata volta allo studio di come lo spessore dello strato di poroso incida sulla sensitività del dispositivo. A tal fine sono stati eseguiti due diversi tipi di caratterizzazione: corrente-tempo (I-t) e corrente-tensione (I-V), in presenza di vapori organici dell’isopropanolo, verso il quale l’APSFET presenta una buona sensitività per differenti spessori dello strato poroso. Tali caratterizzazioni hanno messo in evidenza: (i) un comportamento tipo FET delle strutture, confermando i risultati ottenuti precedentemente; (ii) una sensitività che dipende dallo spessore dello strato di silicio poroso prodotto, oltre che dalla porosità dello strato; (iii) una velocità di risposta che diminuisce con lo spessore dello strato di silicio poroso.