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Tesi etd-02042005-173927


Thesis type
Tesi di laurea vecchio ordinamento
Author
Specos, Paolo
URN
etd-02042005-173927
Title
REALIZZAZIONE DI TRENCH AD ELEVATA PROFONDITA' IN SILICIO
Struttura
INGEGNERIA
Corso di studi
INGEGNERIA ELETTRONICA
Commissione
relatore Nannini, Andrea
relatore Diligenti, Alessandro
relatore Barillaro, Giuseppe
Parole chiave
  • silicio macroporoso
  • etching elettrochimico
  • micromachining
Data inizio appello
01/03/2005;
Consultabilità
parziale
Data di rilascio
01/03/2045
Riassunto analitico
In questo lavoro di tesi è stato studiato l’attacco elettrochimico del Si in soluzioni acquose a base di HF allo scopo di fabbricare matrici di macropori ad elevata profondità in substrati di tipo n ed orientazione cristallografica &lt;100&gt;, i più comuni e meno costosi nell’industria microelettronica. A questo proposito è stato dapprima criticamente analizzato il sistema Si-HF in modo da comprendere ed evidenziare i parametri che lo caratterizzano. Sono stati quindi studiati gli effetti che sul processo di formazione dei macropori hanno la temperatura e gli additivi in soluzione, quali etanolo e TRITONIX-100. Sono state dunque fabbricate delle matrici di macropori regolari con diametro dei pori di 2 µm e profondità massima di 200 µm.<br>Inoltre, attraverso la fabbricazione di un array di spirali circolari, è stato sperimentalmente dimostrato che l’etching anodico del Si in HF è indipendente dall’orientazione dei piani cristallini ed è l’unico che consente di realizzare microstrutture con geometria circolare e pareti verticali su substrati &lt;100&gt; nell’ambito dei tradizionali attacchi anisotropi in fase liquida.
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