• etching elettrochimico
• micromachining
• silicio macroporoso

In questo lavoro di tesi è stato studiato l’attacco elettrochimico del Si in soluzioni acquose a base di HF allo scopo di fabbricare matrici di macropori ad elevata profondità in substrati di tipo n ed orientazione cristallografica <100>, i più comuni e meno costosi nell’industria microelettronica. A questo proposito è stato dapprima criticamente analizzato il sistema Si-HF in modo da comprendere ed evidenziare i parametri che lo caratterizzano. Sono stati quindi studiati gli effetti che sul processo di formazione dei macropori hanno la temperatura e gli additivi in soluzione, quali etanolo e TRITONIX-100. Sono state dunque fabbricate delle matrici di macropori regolari con diametro dei pori di 2 µm e profondità massima di 200 µm.
Inoltre, attraverso la fabbricazione di un array di spirali circolari, è stato sperimentalmente dimostrato che l’etching anodico del Si in HF è indipendente dall’orientazione dei piani cristallini ed è l’unico che consente di realizzare microstrutture con geometria circolare e pareti verticali su substrati <100> nell’ambito dei tradizionali attacchi anisotropi in fase liquida.