• FEM
• Flussimetro
• MEMS

In questo lavoro di tesi verranno sviluppati modelli FEM per la simulazione di sensori di flusso integrati in tecnologia CMOS. Disporre di modelli con cui poter svolgere simulazioni affidabili è di fondamentale importanza durante la fase di studio, progettazione e ottimizzazione di tutti i microsistemi integrati. Tali modelli consentono infatti di capire quali sono i parametri geometrici e fisici su cui è possibile intervenire per migliorare le prestazioni del microsistema sotto studio.
Lo scopo di questo lavoro di tesi è quello di realizzare modelli per la simulazione, lo studio e l'ottimizzazione di flussimetri integrati in tecnologia CMOS. Verrà sviluppato un modello 3D e i risultati dalle simulazioni confrontati con i dati sperimentali. Terminata la fase di validazione verranno eseguite una serie di simulazioni allo scopo di individuare le possibili ottimizzazioni applicabili al sensore. Particolare attenzione verrà dedicata allo studio della sensibilità e alla individuazione di tutti quei fattori geometrici su cui è possibile intervenire per migliorare questo importante parametro.
Il modello 3D ha il vantaggio di fornire risultati precisi, ma necessita di tempi di simulazione piuttosto lunghi. Per ridurre i tempi di simulazione verrà sviluppato anche un modello per simulazioni 2D. In questa fase verranno affrontate tutte le problematiche di natura fisica e matematica che nascono nel momento in cui si vuole riassumere il comportamento di un sensore 3D in un unico piano.
Infine i dati ottenuti con il modello 2D verranno confrontati con quelli ottenuti con il modello 3D. Questo confronto servirà a validare il modello 2D.