• FET
• gas sensing
• MACE
• SiNW

Il rilevamento rapido, sensibile e selettivo dei gas è essenziale per la diagnostica medica, la sicurezza industriale e il monitoraggio ambientale.
I sensori basati su chemi-transistori del tipo Field Effect Transistor (FET) hanno un vantaggio chiave rispetto a quelli basati su chemi-resistori: la modulazione della corrente attraverso il terminale di gate permette di aumentare la sensitivity del dispositivo.
I nanofili di silicio (SiNW), realizzabili con diversi approcci, sono stati usati per la fabbricazione di FET, anche impiegati come sensori di gas. Tra i vari approcci, il metal assisted chemical etching (MACE) permette di produrre matrici di SiNW ad alta densità e con elevato aspect-ratio, a basso costo e con buona versatilità.
In questo lavoro di tesi sono stati fabbricati dei FET back-gated per gas sensing utilizzando, come materiale sensibile, dei SiNW prodotti per MACE. I SiNW vengono disposti su substrati SiO2/Si tra i contatti di drain e source realizzati mediante deposizione fisica (PVD) di vari metalli (Au, Al, Ti, Cr). I SiNW-FET realizzati evidenziano un comportamento di tipo p, sia nel caso di SiNW prodotti da wafer di tipo n che di tipo p. I FET con SiNW di tipo p e con elettrodi di drain e source fabbricati con 200nm di Au sono stati impiegati con successo nel rilevamento di gas ossidanti (NO2), ma al momento non hanno mostrato variazioni significative per gas riducenti (CO).