| Tipo di tesi |
Tesi di laurea specialistica |
| Autore |
De Ranieri, Elisa
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| Indirizzo email |
brecciola@yahoo.it |
| URN |
etd-09132005-131519 |
| Titolo |
Design and fabrication of a transistor based on quantum point contacts |
| Settore scientifico disciplinare |
INGEGNERIA, FACOLTA' |
| Corso di studi |
INGEGNERIA ELETTRONICA |
| Commissione |
| Nome Commissario |
Qualifica |
| Prof. Massimo Macucci |
relatore |
| Ing. Massimo Piotto |
relatore |
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| Parole chiave |
- GaAs-AlGaAs
- mesoscopico
- nanoeletronica
- eterostruttura
- quantum point contact
- transistore balistico
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| Data inizio appello |
2005-10-20 |
| Disponibilità |
mixed |
| Data di rilascio | 2045-10-20 |
|---|
Riassunto analitico
Oggetto della tesi sono il progetto e la fabbricazione di un dispositivo nanoelettronico basato su quantum point contact. Lo scopo di questo studio è verificare se è possibile ottenere un guadagno in tensione maggiore di 1.
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