Tesi etd-09132005-131519 |
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Tipo di tesi
Tesi di laurea specialistica
Autore
De Ranieri, Elisa
Indirizzo email
brecciola@yahoo.it
URN
etd-09132005-131519
Titolo
Design and fabrication of a transistor based on quantum point contacts
Dipartimento
INGEGNERIA
Corso di studi
INGEGNERIA ELETTRONICA
Relatori
relatore Prof. Macucci, Massimo
relatore Ing. Piotto, Massimo
relatore Ing. Piotto, Massimo
Parole chiave
- GaAs-AlGaAs
- mesoscopico
- nanoeletronica
- eterostruttura
- quantum point contact
- transistore balistico
Data inizio appello
20/10/2005
Consultabilità
Parziale
Data di rilascio
20/10/2045
Riassunto
Oggetto della tesi sono il progetto e la fabbricazione di un dispositivo nanoelettronico basato su quantum point contact. Lo scopo di questo studio è verificare se è possibile ottenere un guadagno in tensione maggiore di 1.
File
| Nome file | Dimensione |
|---|---|
| 1_frontespizio.pdf | 24.50 Kb |
| 2_indice.pdf | 26.22 Kb |
| 3_intro.pdf | 70.79 Kb |
| 7_conclusioni.pdf | 33.40 Kb |
3 file non consultabili su richiesta dell’autore. |
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