Riassunto analitico
Fin dalla realizzazione della prima eterostruttura (1979) i sistemi di portatori a dimensionalità ridotta hanno ricevuto considerevoli attenzioni da parte della comunità scientifica. Un interesse motivato, in parte, dalla conseguente possibilità di realizzare dispositivi elettronici di nuova generazione, da aggiungere al novero dei cosiddetti "dispositivi emergenti", candidati al subentro ai transistori MOS, in parte dall'opportunità che questi sistemi offrono di indagare le proprietà microscopiche della materia.
In presenza di confinamenti così forti divengono infatti evidenti e rilevanti gli aspetti quantistici del processo di conduzione; cosicché, da un lato, è possibile basare su nuovi effetti il funzionamento di un dispositivo, dall'altro estrarre importanti informazioni sulla dinamica dei portatori, le caratteristiche microscopiche del mezzo e le relazioni che intercorrono tra le peculiarità di un sistema descritto classicamente e le sue proprietà nella corrispondente descrizione quantistica.
In questo lavoro di tesi, nel quale si fa riferimento esclusivamente a dispositivi mesoscopici realizzati su eterostrutture di tipo AlGaAs/GaAs, verranno esplorate entrambe le possibilità: tramite simulazioni numeriche si procederà a una valutazione della realizzabilità di un nanosensore di campo magnetico e, successivamente, a un'analisi della soppressione del rumore shot in alcune strutture mesoscopiche, con l'obiettivo di investigare alcune caratteristiche di particolare interesse del trasporto.
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