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Il Germanio cristallino, così come il Silicio, è un semiconduttore con il reticolo del diamante e con un gap fondamentale indiretto nello spettro elettronico. Questo fa sì che le transizioni
radiative dirette tra il massimo della banda di valenza ed il minimo della banda di conduzione
siano proibite per conservazione del momento totale. Sebbene in più di 50 anni siano stati
raggiunti grandissimi progressi nell’utilizzo di Silicio e Germanio come materiali per l’elettronica,è tuttora una sfida aperta riuscire a superare le difficoltà connesse con la natura indiretta del gap ed ottenere da essi efficienti sorgenti di luce.

In particolare, nel Germanio a temperatura ambiente, la transizione indiretta è solo 136 meV
più bassa in energia di quella diretta e tale distanza energetica è molto pi` grande nel Silicio. Questo, oltre al fatto che la transizione diretta nel Ge a T = 300 K avviene ad una lunghezza d’onda di forte interesse per le telecomunicazioni (1.55 µm), ha contribuito a far crescere negli ultimi anni l’interesse per le strutture a base di Germanio.

Oggetto della presente Tesi è lo studio teorico dell’assorbimento ottico in cristalli di Germanio. Partendo dalla descrizione microscopica degli stati elettronici e fononici e dalle proprietà del materiale ad essi collegate (masse effettive, densità degli stati, potenziali di deformazione, etc... ) ho contribuito alla messa a punto di un software, nel formalismo della massa effettiva, per il calcolo degli spettri ottici diretti ed indiretti, analizzando in particolare la disposizione ed
il riempimento delle differenti valli di conduzione per diverse temperature, livelli di drogaggio e di iniezione di carica. A tale scopo è stato necessario calcolare in modo autoconsistente i quasi-livelli di Fermi in banda di valenza ed in banda di conduzione nonché tener conto dell’effetto dell’interazione spin-orbita sulle bande di valenza.

La struttura del software è stata progettata in modo da incorporare in fasi successive differenti meccanismi rilevanti che agiscono sul processo di luminescenza come la temperatura, l’autoassorbimento, l’assorbimento di cariche libere, lo scattering da fononi e da impurezze, il
disordine dovuto a leghe ed i potenziali di interfaccia in sistemi nanostrutturati.